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Toshiba externalizará su negocio de semiconductores

En 2013, Toshiba habrá externalizado el 80% de la producción de circuitos impresos SoC de 300 mm. Ese mismo año, la empresa espera contar con una cuota de mercado del 30% en los chips BSI para videocámaras y smartphones.

Toshiba ha anunciado una reestructuración de su negocio de semiconductores, cuya primera medida será la externalización de la producción de los chips SoC. Los ahorros generados por esta medida, aseguran desde la empresa, se destinarán al diseño, la investigación, el desarrollo y la fabricación de semiconductores más rentables.

En ese sentido, Toshiba prevé que en 2013, la fabricación del 80% de los chips SoC de 300mm esté ya externalizada. Actualmente, el ratio de chips de este tipo que provienen de fábricas de terceras empresas supone ya un 50%. Así mismo, y dentro de este plan de reestructuración que la compañía está llevando a cabo, Toshiba reducirá a la mitad su actual gama de semiconductores para mejorar su eficiencia productiva y centrar sus recursos en los productos cuya demanda muestra un mayor potencial de crecimiento.

Muchos de los recursos que Toshiba ahorrará en la producción de semiconductores se dedicará al desarrollo de chips BSI (Backside Illumination), la nueva generación de sensores de imagen para cámaras de foto y vídeo digitales y teléfonos móviles inteligentes que sustituirá a la tecnología FSI actual. (Frontside semiconductores, ToshibaIllumination). En este sentido, la compañía pretende alcanzar en 2013 una cuota de mercado del 30% en el segmento de los chips BSI. Según la compañía de análisis Yole Development, en ese año, el 42% de los sensores de imagen que se usen en estos dispositivos serán BSI, y dos años después, en 2015, este porcentaje será del 70%.

Por otro lado, el plan de reestructuración de Toshiba incluye la puesta en marcha de una nueva fábrica de módulos para cámaras en China a través de una joint venture entre su filial Toshiba Semiconductor y Jiangsu Changjiang Electronics Technology de la que poseerá un 30%. Además, la compañía promocionará la fabricación de obleas de silicio de gran diámetro abandonando la producción de las de 200 mm por las nuevas de 300 mm.



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